尹以安副研究员，2008年厦门大学物理与机电学院半导体物理与器件物理专业博士毕业；现为bet-365的网址的研究人员。主要从事Ⅲ-Ⅴ族宽禁带半导体材料的外延生长, 利用MOCVD技术，在蓝宝石衬底上生长GaN系列材料，研究其光电性质和研制半导体蓝、绿光发光二极管、探测器、激光器及P型欧姆接触近5年来，在国内外重要刊物上发表论文10多篇，申请发明专利2个。 联系方式：yinya@scnu.edu.cn,Tel:02085212667-809

1.尹以安，刘宝林，“低p-GaN欧姆接触的研究”，光电子激光,Vol.18,No.2：216-219(2007)
2.Yian Yin, Baolin Liu, Baoping Zhang, Guoxing Lin, The effect of surface layer of capping p-InGaN/p-GaN superlattices on the contact to p-GaN， supelattice and microstructure ，Vol.43，No.3:162–167(2008)
3. Qing-Hong Zheng ，Yi-An Yin, Li-Hong Zhu,Jin Huang, Xiao-Ying Li and Bao-Lin Liu，Tailoring the hole concentration in superlattices based on nitride alloys ，Apply Physicis Letter，94，222104（2009）
4. 尹以安，郑清洪，黄瑾，刘宝林，“InGaN/AlGaN超晶格降低p-GaN欧姆接触” 半导体光电，2009年第31期。

1.“一种p-GaN低阻欧姆接触制备方法”，专利号：ZL2007100099553
2.“氮化镓基蓝光发光二极管”，公开号：CN1862843